Сборник задач по физике Курс лекций по физике Оптика Кинематика Теплопроводность

Лекции по физике теория газов

Испарение жидкости происходит при любой температуре и тем быстрее, чем выше температура, больше площадь свободной поверхности испаряющейся жидкости и быстрее удаляются образовавшиеся над жидкостью пары.

При некоторой определенной температуре, зависящей от природы жидкости и давления, под которым она находится, начинается парообразование во всей массе жидкости. Этот процесс называется кипением.

Это процесс интенсивного парообразования не только со свободной поверхности, но и в объеме жидкости. В объеме образуются пузыри, заполненные насыщенным паром. Они поднимаются вверх под действием выталкивающей силы и разрываются на поверхности. Центрами их образования являются мельчайшие пузырьки посторонних газов или частиц различных примесей.

Процесс превращения жидкости в пар требует затрат энергии на разрыв связей между молекулами жидкости и на работу против сил внешнего давления. Давление насыщенного пара Pнас внутри пузырька, находящегося у поверхности жидкости, равно сумме внешнего давления на жидкость Рвн и давления под искривленной поверхностью жидкости.

Рнас= Рвн+ 2/r ,

где r - радиус пузырька,

 - коэффициент поверхностного натяжения.

Если пузырек имеет размеры порядка нескольких миллиметров и более, то вторым слагаемым можно пренебречь и, следовательно, для больших пузырьков при неизменном внешнем давлении жидкость закипает, когда давление насыщенного пара в пузырьках становится равным внешнему давлению.

В результате хаотического движения над поверхностью жидкости молекула пара, попадая в сферу действия молекулярных сил, вновь возвращается в жидкость. Этот процесс называется конденсацией.

Обратный процесс парообразования называется конденсацией. Она также протекает при постоянной температуре.

Если за одно и то же время число испаряющихся и конденсирующихся молекул пара одинаково, то число молекул пара над жидкостью будет оставаться постоянным . Такое состояние называют динамическим равновесием пара и жидкости.

Пар, находящийся в динамическом равновесии с жидкостью, называют насыщающим (или насыщенным). При неизменной температуре плотность насыщающего пара над жидкостью остается постоянной.

При испарении жидкости в ограниченном пространстве (в паровых котлах) одновременно происходит обратное явление – конденсация пара. Если скорость конденсации станет равной скорости испарения, то наступает динамическое равновесие. Пар в этом случае имеет максимальную плотность и называется насыщенным паром.

Если температура пара выше температуры насыщенного пара того же давления, то такой пар называется перегретым. Разность между температурой перегретого пара и температурой насыщенного пара того же давления называется степенью перегрева. Так как удельный объем перегретого пара больше удельного объема насыщенного пара, то плотность перегретого пара меньше плотности насыщенного пара. Поэтому перегретый пар является ненасыщенным паром.

В момент испарения последней капли жидкости в ограниченном пространстве без изменения температуры и давления образуется сухой насыщенный пар. Состояние такого пара определяется одним параметром - давлением.

Механическая смесь сухого и мельчайших капелек жидкости называется влажным паром.

Массовая доля сухого пара во влажном паре называется степенью сухости – х.

х = mсп / mвп ,

mсп - масса сухого пара во влажном;

mвп - масса влажного пара.

Массовая доля жидкости во влажном паре называется степенью влажности – у.

у = 1 –  .

Для кипящей жидкости при температуре насыщения  = 0, для сухого пара –  = 1.

Деление кристаллов на диэлектрики, металлы и полупроводники

  Все кристаллы разделяются на диэлектрики, металлы и полупроводники. Рассмотрим их энергетические зоны.

Чтобы исключить тепловое движение будем сначала предполагать, что температура кристалла равна 0 К. По принципу Паули на каждом уровне может находиться не более двух электронов с противоположно направленными спинами. В равновесном состоянии будут заполнены электронами самые низкие энергетические  уровни. А все вышележащие уровни окажутся свободными.

 В диэлектриках валентная зона целиком заполнена. А лежащая выше зона проводимости, отделенная от нее запрещенной зоной (ширина которой DЕ=2.5 - 3 эВ), совсем не содержит электронов, т.е. полностью свободна (см. рис. 3а). Электрический ток есть движение электронов, при котором они непрерывно переходят из одного состояния в другое. Следовательно, электроны пока они находятся в целиком заполненной валентной зоне, не могут участвовать в создании тока. Потому диэлектрики не проводят электрический ток.

В металлах валентная зона заполнена электронами частично (см. рис. 3б). Не имеет значения, существует ли запрещенная зона между валентной зоной и зоной проводимости. Они могут вплотную примыкать и даже перекрываться между собой.

  Существенно только, чтобы в зоне, содержащей электроны, были состояния, не занятые электронами. При наложении электрического поля с напряжённостью   у электронов имеется возможность переходить в такие незанятые состояния и через кристалл потечёт электрический ток в направлении .

 В полупроводниках (бор, углерод, кремний, фосфор, сера, германий, мышьяк, селен, олово, сурьма, теллур, йод и др. К наиболее часто используемым относятся Ge и Si - элементы 4-й группы периодической системы элементов), как и в диэлектриках валентная зона полностью заполнена электронами, а зона проводимости полностью свободна. Однако в полупроводниках ширина запрещённой зоны DЕ значительно меньше, чем в диэлектриках (рис. 3в). Например, DЕ = 1,1 эВ для Si и 0,65 эВ для Ge. Поэтому при Т>0 K электрон в валентной зоне может получить от иона кристаллической решётки энергию порядка kT и перейти в зону проводимости. Такой переход может быть осуществлён и другим способом, например, освещением кристалла. В результате этого кристалл приобретает способность проводить электрический ток.

 В полупроводниках проводимость создаётся электронами, перешедшими в зону проводимости. Электрон, ушедший из валентной зоны, оставляет в ней незаполненное состояние, называемое дыркой. Другой электрон в валентной зоне получает возможность перейти в это незаполненное состояние. При этом в валентной зоне создаётся новая дырка, в которую может перейти третий электрон и т. д. Вместе с движением электрона происходит движение и соответствующей дырки, но в обратном направлении. Явление происходит так, как если бы ток вызывался не движением отрицательно заряженных электронов, а противоположно направленным движением положительно заряженных дырок. Эти электроны и дырки являются носителями тока в полупроводнике. Подчеркнём, что движение дырки не есть перемещение какой-то реальной положительно заряженной частицы. Представление о дырках отображает характер движения всей многоэлектронной системы в полупроводнике.

Конвекция - перенос энергии веществом. Если движение вещества возникает вследствие изменения его энергии, конвекцию называют свободной, а если оно возникает под действием внешних сил - вынужденной. Внутри твердого тела конвекции быть не может, так как частицы твердого тела "закреплены" на своих местах.
На главную